离子注入机是芯片制造中的核心关键装备。中国电科连续突破大流强长寿命高品质离子源、高速晶圆传输等核心关键技术，自主研制中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段覆盖至28nm，累计形成核心发明专利413项，实现我国芯片制造领域全谱系离子注入机自主创新发展，有效缓解我国芯片制造领域断链、短链难题。

　　截止到目前，中国电科已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。下一步，将瞄准高端，紧跟先进工艺发展，加快推进适用于更先进工艺节点离子注入机的研发及产业化。